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TSM60NC196CI-C0G

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TSM60NC196CI-C0G

Pour Référence Seulement

Référence TSM60NC196CI-C0G
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation
Description 600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 11 520 piece(s)
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Spécifications TSM60NC196CI-C0G

FabricantTaiwan Semiconductor Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C20A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1535 pF @ 300 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)70W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs196mOhm @ 9.5A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurITO-220
Paquet / casTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

TSM60NC196CI-C0G Packaging

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Sealing
Packing
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TSM60NC196CI-C0G FAQ

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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TSM60NC196CI-C0G.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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